电流脉冲碳化硅

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电流脉冲碳化硅相关技术文章正文碳化硅特性.碳化硅‐特性‐与不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而‐在时导通电阻上升为室温条件下的倍以上，与‐不同，‐的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。.驱动门极电压和导通电阻‐的漂移层阻抗比‐低，但是另一方面，按照现在的技术水平，‐的沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（以上则逐渐饱和）。如果使用一般和‐使用的驱动电压的话，不能发挥出本来的低导通电阻的性能，所以为了得到充分的低导通电阻，推荐使用左右进行驱动。以下的话，有可能发生热失控，请注意不要使用。文章来源‐特性‐的阈值电压在数的情况下定义的话，与‐相当，室温下大约（常闭）。但是，如果流通几的话，需要的门极电压在室温下约为以上，所以可以认为针对误触发的耐性与相当。温度越高，阈值电压越低。.‐特性‐‐封装一。